IGBT модуль (транзисторы) .

новые 2 шт
Основные характеристики
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200 В. zener.rueicom.ru

Максимальный ток коллектора (Ic): 4930 А. zener.rueicom.ru

Рассеиваемая мощность: 19 000 Вт (19 кВт). chipdip.ruzener.ru

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(on)): 2,05 В при 15 В, 3600 А. zener.ru

Входная ёмкость (Cies) при Vce: 225 нФ при 25 В. zener.ru

Рабочая температура: от -40 C до 150 C. zener.ru

Вид монтажа: Chassis Mount. zener.ru

Корпус: Module. chipdip.ruzener.ru

Технология: IGBT 4 (Trench). chipdip.ru

Конфигурация: Single Switch. chipdip.ruzener.ru

Количество выводов: 9. chipcity.ru

Особенности
Высокая надёжность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.

Эффективная работа в широком диапазоне температур.

Устойчивость к износу и перегрузкам.

Низкий уровень шума и тепловыделения. eicom.ru

Изоляция с прочностью 4 кВ AC на 1 минуту. RadioElementy.ruchipcity.ru

Корпус с CTI более 400. RadioElementy.ruchipcity.ru

Типичные области применения
высоковольтные инверторы;

системы управления электродвигателями;

стабилизаторы напряжения;

промышленные преобразователи.

2026-05-31